FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T参数：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-MicroFET（2x5）