FDFMA2P853T
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FDFMA2P853T参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices11/Mar/2013
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：435pF@10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）