FDFM2N111
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FDFM2N111参数：MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：273pF@10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：6-MLP，Power33
供应商器件封装：MicroFET3x3mm