FDFMJ2P023Z
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FDFMJ2P023Z参数：MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：112毫欧@2.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-MLP