TK8A65D(STA4,Q,M)
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TK8A65D(STA4,Q,M)参数：MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TO-220SISSide3 TO-220SISSide2 TO-220SISSide1
标准包装：50
系列：-
包装：散装
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：840毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1350pF@25V
功率-最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220SIS