TK8P60W,RVQ
PDF资料下载

TK8P60W,RVQ参数：MOSFET N CH 600V 8A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400µA， 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 300V
功率 - 最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK