STL8N65M5
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STL8N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL8N65M5ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：Mdmesh™V
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：600毫欧@3.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：690pF@100V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：14-PowerVQFN
供应商器件封装：PowerFLAT?（5x5）