STL8DN10LF3
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STL8DN10LF3参数：MOSFET N CH 100V 20A 5X6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STL8DN10LF3ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™III
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：970pF@25V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）