STL85N6F3
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STL85N6F3参数：MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL85N6F3ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：85A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.7毫欧@8.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3400pF@25V
功率-最大值：4W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（6x5）