STL26NM60N
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STL26NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL26NM60NViewAllSpecifications
特色产品： ST-PowerFLAT?8x8HV
标准包装：3,000
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：185毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1800pF@50V
功率-最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装：5-PowerFlat?HV
供应商器件封装：5-PowerFlat?HV（8x8）