STL23NM60ND
PDF资料下载

STL23NM60ND参数：MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL23NM60NDViewAllSpecifications
特色产品： ST-PowerFLAT?8x8HV
标准包装：3,000
系列：FDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2050pF@50V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：5-PowerFlat?HV
供应商器件封装：5-PowerFlat?HV（8x8）