STL18NM60N
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STL18NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL18NM60NViewAllSpecifications
特色产品： ST-PowerFLAT?8x8HV
标准包装：3,000
系列：Mdmesh™II
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：310毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1000pF@50V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：5-PowerVDFN
供应商器件封装：5-PowerFlat?HV（8x8）