STI20N65M5
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STI20N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：Mdmesh™ V
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1434pF @ 100V
功率 - 最大值：130W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*