STI19NM65N
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STI19NM65N参数：MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 7.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 50V
功率 - 最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK