SSM6N55NU,LF
PDF资料下载

SSM6N55NU,LF参数：MOSFET N CH 30V 4A UDFN6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 4A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-uDFN（2x2）