SSM6N37CTD(TPL3)
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SSM6N37CTD(TPL3)参数：MOSFET DUAL N-CH 20V .25A CST6D

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： SmallSignalMOSFET
产品目录绘图： CST6DBottom CST6DSide
标准包装：1
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2欧姆@100mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：12pF@10V
功率-最大值：140mW
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：CST6D