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RT1A040ZPTR参数：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： MOSFETTSST-8特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2350pF@6V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSST供应商器件封装：TSST8
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