RT1A040ZPTR
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RT1A040ZPTR参数：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： MOSFETTSST-8
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2350pF@6V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSST
供应商器件封装：TSST8