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IXTT16N20D2参数：MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：耗尽模式漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：73 毫欧 @ 8A，0V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：208nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 25V功率 - 最大值：695W安装类型：表面贴装封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA供应商器件封装：TO-268
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