IXTT16N10D2
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IXTT16N10D2参数：MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：64 毫欧 @ 8A，0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：225nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 25V
功率 - 最大值：830W
安装类型：通孔
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268