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IPD65R600E6参数：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：600毫欧@2.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@210µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：23nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@100V功率-最大值：63W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
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