IPD65R600C6
PDF资料下载

IPD65R600C6参数：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：CoolMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：440pF @ 100V
功率 - 最大值：63W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252