FQS4903TF
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FQS4903TF参数：MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：3,000
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：370mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.2欧姆@185mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO