FQS4900TF
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FQS4900TF参数：MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：QFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V，300V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.3A，300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 650mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP