EPC2001
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EPC2001参数：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

类别：分立半导体产品-FET - 单
应用说明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs
产品培训模块： eGaNFETReliability SecondGenLeadFreeeGaNFETsOverview ParallelingeGaN?FETs
产品变化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013
视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey
RoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement
特色产品： eGaN?FETs
标准包装：500
系列：eGaN®
包装：带卷(TR)
FET类型：GaNFETN通道，氮化镓
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：25A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@25A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@5mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@50V
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：模具剖面（11焊条）
供应商器件封装：模具剖面（11焊条）