EPC2010
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EPC2010参数：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

类别：分立半导体产品-FET - 单
应用说明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs
产品培训模块： ParallelingeGaN?FETs
产品变化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013
视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey
标准包装：500
系列：eGaN®
包装：带卷(TR)
FET类型：GaNFETN通道，氮化镓
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@6A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@3mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：480pF@100V
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：7-SMD，凸引线
供应商器件封装：7-LGA（3.6x1.6）
配用：917-1012-ND-BOARDDEVFOREPC2010200VGAN