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DI9952T参数：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
标准包装：1
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：N和P沟道
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP