DI9430T
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DI9430T参数：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
标准包装：1
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@5.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1430pF@10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSOP（0.130"，3.30mm宽）
供应商器件封装：8-SO