<noscript id="adtvy"><dl id="adtvy"></dl></noscript>
BSL211SP参数：MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：67毫欧@4.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：654pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：P-TSOP6-6
