BSL211SP
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BSL211SP参数：MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：67毫欧@4.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：654pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：P-TSOP6-6