BS170RL1G
PDF资料下载

BS170RL1G参数：MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5欧姆@200mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：60pF@10V
功率-最大值：350mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3