BS170PSTOA
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BS170PSTOA参数：MOSFET N-CHAN 60V TO92-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：270mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 10V
功率 - 最大值：625mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3