ALD114913SAL
PDF资料下载

ALD114913SAL参数：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：50
系列：EPAD® Depletion
包装：管件
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 2.7V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.26V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC