ALD114835SCL
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ALD114835SCL参数：MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：48
系列：EPAD® Depletion
包装：管件
FET 类型：4 N 沟道，配对
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：540 欧姆 @ 0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.45V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC