ZXM62P03GTA
PDF资料下载

ZXM62P03GTA参数：MOSFET P-CHAN 30V SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：330pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223