<button id="y0uvf"></button>
<dl id="y0uvf"></dl>
YTA640参数：MOSFET N-CH 200V 15A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 10V功率 - 最大值：80W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
<dl id="fbmkq"></dl>
