VWM350-0075P
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VWM350-0075P参数：MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2

类别：半导体�？�-FET
标准包装：6
系列：-
包装：散装
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：340A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 250A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：450nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：通孔
封装：V2-PAK
供应商器件封装：V2-PAK