US6M1TR
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US6M1TR参数：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： MOSFETs
产品目录绘图： TUMT-6PackageTop
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V，20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A，1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：240毫欧@1.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：70pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：TUMT6