TT8U1TR
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TT8U1TR参数：MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@2.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：[email protected]
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSST
供应商器件封装：TSST8