TPN2R503NC,L1Q
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TPN2R503NC,L1Q参数：MOSFET N CH 30V 40A TSON

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：5,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2230pF @ 15V
功率 - 最大值：35W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-TSON高级