TK6A60W,S4VX
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TK6A60W,S4VX参数：MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：750毫欧@3.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@310µA，10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：390pF@300V
功率-最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220SIS