TK65E10N1,S1X
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TK65E10N1,S1X参数：MOSFET N CH 100V 148A TO220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：148A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5400pF @ 50V
功率 - 最大值：192W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3