TK32E12N1,S1X
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TK32E12N1,S1X参数：MOSFET N CH 120V 60A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：120V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.8 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 60V
功率 - 最大值：98W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220