TK10P60W,RVQ
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TK10P60W,RVQ参数：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：430毫欧@4.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@500µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：700pF@300V
功率-最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK