STP9NM40N
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STP9NM40N参数：MOSF N CH 400V 5.6A TO220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP9NM40NViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：Mdmesh™II
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：400V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：790毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：365pF@50V
功率-最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220