STP80NF12参数：MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP80NF12ViewAllSpecifications标准包装：50系列：STripFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：120V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：189nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4300pF@25V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
<input id="t5g1w"></input>
