STL80N3LLH6
PDF资料下载

STL80N3LLH6参数：MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL80N3LLH6ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™DeepGATE™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.2毫欧@10.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1690pF@25V
功率-最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）