STL65DN3LLH5
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STL65DN3LLH5参数：MOSFET N-CH POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STL65DN3LLH5ViewAllSpecifications
特色产品： STripFET?SeriesVPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：65A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@9.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V
功率-最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）