STL60N32N3LL
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STL60N32N3LL参数：MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它有关文件： STL60N32N3LLViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2N沟道（双）非对称型
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A，60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.2mOhm@6.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@25V
功率-最大值：23W，50W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）