STL3NM60N
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STL3NM60N参数：MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL3NM60NViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：Mdmesh™II
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.8欧姆@1A,10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：188pF@50V
功率-最大值：22W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）